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[讨论] MOS管结构的ESD是怎样起作用保护的?

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发表于 2012-7-12 21:58:03 | 显示全部楼层
回复 2# allen_tang
能说说这两种的优缺点吗?还有对于第二种,负ESD时是I/O对GND直接导通的。正ESD时是直接反向击穿对GND通路,还是经过I/O到vcc通路再经vcc/gnd ESD通路呢?
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发表于 2012-7-15 21:00:44 | 显示全部楼层
回复 4# allen_tang
对mos ESD了解不多,谢谢!
esd怎么保护大概是了解的,第二个问题我其实是想问vcc对gnd的esd管和I/O对gnd(或vcc)esd管是不是不一样的,比如vcc对gnd通路是否更易导通,我上次做个测试版I/O对vcc是不做esd通路的,看了之前其它项目对gnd对vcc都做esd的
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