栅氧击穿的问题

iamshan

回复 1# zhangtaoqiqi


3.3V的器件工作电压就是3.3v，可以降低，但是不能升高，不然HCI，Gate oxide的可靠性都会出问题的。

针对你这个问题，还是建议看看LDMOS能不能满足需要。如果你的4.3v是加到drain上的，LDMOS应该可以满足你的需求的；
如果是加到gate上，55nm LG工艺应该无法满足你的需求了。 因为需要增大gate oxide厚度了。

可以跟fab协商能不能给你设计这么一种器件；如果你们是fab的大客户，应该可以试一试，小客户就够呛了。毕竟开发一种新器件是需要
时间和不少钱的。fab不会为了一个小客户做这么麻烦的事情的。

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