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[求助] 全電自旋電晶體 速度逾萬倍

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发表于 2015-2-8 00:43:07 | 显示全部楼层
自旋的介入提升的是控制维度,从而让同一时间的运算量平方倍上升,而非输运速度,输运速度还是由材料本身决定的,这里有点偷换概念了。但自旋晶体管大都由磁性金属基的化合物半导体(如GaMn,GaMnAs)制成,输运速度也比硅高的多。
不知道成大陈教授用的是何种材料?
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发表于 2015-2-8 13:03:13 | 显示全部楼层
回复 3# peterlin2010

那我回头去查查文献。
    硅本身结构所限,10nm以下的怎么改都很难。可能以后会走向在硅表面做立体结构,比如三明治结构,和陈教授的量子点其实是一样的。
其实我还是看好石墨烯。
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