关于MOS管和BJT的耐压问题

liuxin278519882

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对于这个NMOS管你Vs=10V，Vg=15V时管子已经开启，你Vd你加到50V肯定电流过大烧坏管子。Vgs耐压5V就是栅源电压最大加到5V，再大的话就把栅氧击穿了。同样Vds=40V是说芯片关断的情况下VDS的压差可以承受40V，一般最大工作电压和击穿电压之间要预留一定的余量，根据具体电流来定，就像一般的0.5um硅栅MOS管推荐工作电压是3-5V，Vds击穿电压大概在11V了。