请问一般nmos多大电流可以认为进入亚阈值区

raultjf

调运放时遇到的问题，
想增大第一极点的位置，这时候Vgs略小于Vth，用亚阈方程算好呢还是用饱和区的跨导方程算好呢？没做过这么低电流的，在实际中应该注意什么问题呢？比如电流不能小于什么值？或者流片出来的结果偏差很大？

后来又发现这样的问题，我们用的是chrt35工艺，nmos管3uA时Vgs才刚刚等于Vth，pmos管1uA时Vgs就可以大于Vth，有没有人注意到，那位高手给解释一下？

raultjf

   

原帖由 xiaxiaomingc1 于 2008-11-26 13:34 发表

                               
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0.1uA per W/L

我设计的电流就是500n，也就是想不让它进入亚阈值区都不行了...

raultjf

   

原帖由 semico_ljj 于 2008-11-27 12:12 发表

                               
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100n比较大了，不一定的！

这么小的电流，怎样对工艺进行控制才能制造出来呢

raultjf

   

原帖由 thewolftotem 于 2008-11-28 10:59 发表

                               
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参考subthreshold的mos理论。
该区存也存在饱和区，当vgs3Vt时也是饱和区。

同样的尺寸nmos的电流能力比pmos强，因为电子迁移率>空穴迁移率

您说的是vds〉3vt后就饱和了是吧
但是这时候就没有沟道调制效应了么