手机号码,快捷登录
您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册
使用道具 举报
nanke 发表于 2025-8-25 10:39 所以一般的硅工艺,衬底噪声相对较大,即使通过多个guardring形成低阻路径收集载流子,也还会有漏网的带 ...
nanke 发表于 2025-8-27 10:10 你先研究一下mos器件,以及mos的小信号等效电路吧。gmbs是跨导,=delta ids/ delta vbs。 如果你看mos器 ...
本版积分规则 发表回复 回帖并转播 回帖后跳转到最后一页
查看 »
手机版| 小黑屋| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网 ( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 ) |网站地图
GMT+8, 2025-10-19 16:38 , Processed in 0.369392 second(s), 8 queries , Gzip On, Redis On.