半导体工艺问题

newicing · 发表于 2024-2-23 16:21:47

本帖最后由 newicing 于 2024-2-23 16:25 编辑

1，非PW区域保留光刻胶：因为PW是通过离子注入形成的，PW的区域不能有光刻胶，这样子才能注入到衬底形成PW;
2, 制作AA时.AA区域保留光刻胶: 你说的这个是在没有光刻胶的区域形成场氧区（隔离），这样子剩下的区域才能是有源区（用于形成器件）吧

newicing · 发表于 2024-2-24 14:11:41

layout.35 发表于 2024-2-23 17:13
好的，谢谢，PW光刻处理是通过微影技术将PW掩模版的图形转到晶圆上，形成PW的光刻胶图案，非PW区域保留 ...

你论坛搜下温德通的那本书，流程讲得很细致

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