关于smic40中对于AA（active area）的最大space要求的讨论

Annie_kyohou

在smic40中，有一个rule，我一直是抱有疑问的，但是内心给他的答案是机械应力，rule如下：

                               
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他说的是最大的STI width是不能超过10，但是只要求两边满足即可，另外两边超过了是没有报错的，AA以外是STI这个认识我是有的，所以我觉得它这个rule就是为了防止STI对AA的机械应力过大才设置的一个rule，但是这又会引发什么效果呢？难道是S那边制造存在问题？STI过大就会导致断裂啥的，然后芯片平均寿命会降低吗？大家都来讨论一下呗，咱们集思广益一下，因为我在tsmc40是没有遇到过这个问题的，或者说，smic这边的rule太严了，很容易就产生这个rule，我们如果需要制造，这个rule是否建议我们去waived掉呢？

Annie_kyohou

   

zcwolf 发表于 2024-12-31 10:21
最终顶层需要满足density要求也会撒AA dummy， 基本10X10的area一定会有AA， 所以这个drc一般也不会有。 ...

不是，你们理解错了，这不是density的问题呀，你看清楚，这是STI的问题，这是由于STI的width过大了，你撒AA是一部分，但是你能撒在POLY 电阻下面吗？我们遇到这个问题主要就是在poly电阻的情况下遇到。

Annie_kyohou

   

Annie_kyohou 发表于 2024-12-31 17:09
不是，你们理解错了，这不是density的问题呀，你看清楚，这是STI的问题，这是由于STI的width过大了，你撒 ...

也就是说，这个rule和density的rule是不冲突的，即使你满足了density的rule，这个rule依然不会过的！

Annie_kyohou

   

zcwolf 发表于 2024-12-31 17:17
可能我没做过40的，不太了解40的电阻。28和12的话poly电阻都是自带AA DUM层次的 而且10X10区域没AA的话基 ...

是的，他这里要求是只要你STI区域面积是10*more than 10就会报这个错误，但是只要你是more than 10*less than 10就不会报这个错误

Annie_kyohou

   

李幕白 发表于 2024-12-31 17:24
POLY电阻能洒满10umX10um区域吗，不确定40nm对POLY的要求是怎样的，按照我对22/28nm的理解，对POLY的约束 ...

自带的OD你们操作的时候不去掉吗？我们可以自己做的呀

Annie_kyohou

   

本征半导体 发表于 2024-12-31 17:34
确实不能撒再电阻下面，但是我们正常经验中遇到这条rule都是在top层中使用simc提供的解决密度问题的脚本 ...

这个不是密度的rule，我上边说了

Annie_kyohou

   

李幕白 发表于 2024-12-31 17:32
去掉也可以，但是后面用脚本撒的时候也会自动撒满OD/PO/METAL的dummy。也会自动满足这个DRC了。 那如果说 ...

对，我是觉得存在风险的，因为这个是fm的，如果你需要制造，我觉得就应该满足工程给你提供的额外的rule，而这个我觉得就是STI面积过大，导致其机械应力同样提升了，会不会对芯片寿命产生较大的影响什么的，这个影响在PDF中有提及吗？能不能定量分析呢？

Annie_kyohou

   

bubushenghua 发表于 2025-1-1 17:36
width与length也是有一点区别的。

他这是只要length或者width两边都小于110就不报，我跑出来好像是这样的

Annie_kyohou

   

bubushenghua 发表于 2025-2-6 15:46
在90nm 制程之前，遵守design rules可以确保产量在可接受的范围之内。|
However，a lot of challenges to  ...

这个我明白，但是！我说的是为什么，每个rule都有其存在的必要性，可能你看到的是良率的升高或降低，但是呢，这个都有一个定量的标准或者可以为其定性，良率的高低只是一个表层的原因，我们要知道其深层原因。