模拟信号分压？

Kayle · 发表于 2023-9-11 19:51:58

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前置条件，图中nmos管是高压管，led3电压最高可达60v，vdd2电压是ldo输出电压5v，这个IN_N输出电压是怎么看的，是多少伏特？后续分析这个电压是去比较器做比较使用。

Kayle · 发表于 2023-9-11 20:10:09

顶顶

Kayle · 发表于 2023-9-12 09:21:43

zhuxiaowen 发表于 2023-9-11 20:17
你这里的IN_N输出要求的精度高吗？

还没有分析出来。。不是很清楚高不高。请问这样是怎么分压的老哥

Kayle · 发表于 2023-9-12 09:37:10

zhuxiaowen 发表于 2023-9-12 09:31
电阻分压，然后考虑LDMOS的Ron，分压出IN_N

与他比较的IN_P是2.12V，假设led3=8.8v，我需要怎么调节能使得IN_N达到翻转条件呢

Kayle · 发表于 2023-9-12 10:42:30

hebut_wolf 发表于 2023-9-12 10:25
该电路有两种状态：
1. 当led3电压较低时，mos管在线性区，这时候mos管充当一个小电阻；输出电压IN_N=Vled3 ...

谢谢谢谢，您说的跟仿真的一模一样

Kayle · 发表于 2023-9-12 10:44:26

hebut_wolf 发表于 2023-9-12 10:25
该电路有两种状态：
1. 当led3电压较低时，mos管在线性区，这时候mos管充当一个小电阻；输出电压IN_N=Vled3 ...

想再咨询您一下，这里用的电阻应该是中阻还是高阻值电阻，已知整体芯片的功耗是4.5mA。中阻方块电阻450Ω，高阻2.5k

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