在线咨询 切换到宽版
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网

 找回密码
 注册

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

搜全文
查看: 7003|回复: 4

[求助] LDO在轻载和重载的情况下

[复制链接]
发表于 2023-6-3 11:23:09 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

×
看到一句话,“采用Nmos管,相比Pmos管,输出电阻要低得多,近似为1/gm,而pmos为Rds。输出极点Pout随负载变化,EA输出极点Pea相对变化小一些(miller电容相受影响)。重载时,输出极点高,可以稳定。轻载时,1/gm变大,Pout处于低频,两个极点靠的很近,需要补偿。
至于补偿方法应该要看运用场合吧。ESR补偿应该可以的。VCCS。其他的补偿方法应该也可以解决。至于极点随负载变化,这是LDO的特性。需要保证所有负载情况下均满足稳定性要求。我的思路是补偿相对稳定的Pea,这样就算Pout随Iout变化,也是单极点,稳定性可以满足。”
我有两个问题,希望各位大神能够解答一下


1、这里的负载不是指负载电流吗,负载比较大,为什么会影响输出阻抗
2、输出端的极点随负载变化避免不了,轻载时是最差的情况吗?上面说的后面一句话“需要保证所有负载情况下均满足稳定性要求,补偿相对稳定的Pea,这样就算Pout随Iout变化,也是单极点,稳定性可以满足”是什么意思,不太理解
 楼主| 发表于 2023-6-4 17:28:12 | 显示全部楼层


   
lilili1234 发表于 2023-6-3 16:06
1. 输出管P或者NMOS的rds (约等于1/lambda*Ids)和gm都会受Iout的影响,负载大(Iout大)的时候输出电阻(1/gm ...


谢谢大神,我明白你的意思,非常感谢
回复 支持 反对

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

X

手机版| 小黑屋| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2025-9-18 18:16 , Processed in 0.597561 second(s), 4 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表