请教下如何理解snapback现象？

Andyou

不知道这样理解可以不，相当于有一部分能量用来反向击穿了，所表现出来的就是电压突然下降很多。之前看到老分析说，ggnmos的多指结构开启不均匀也是这个道理。一般中间ggnmos先开启泄放，然后整体电压先掉一点，然后第二个管子，再泄放，以此类推，知道第一个管子达到热击穿之前，其它多指都应该再开启范围内，所以一般多指也不会很宽。