二极管和CMOS的闩锁疑问

沐风彡

本人最近在做项目的时候发现：

1. 用于泄放ESD电流的二极管（P-SUB/N+和N-WELL/P+）之间的间距只有10um，且FAB没有严格的LU rule去约束二极管之间的距离，但是理论上这两个二极管也有发生latch up的SCR结构
2. 用于做驱动管的NMOS和PMOS之间间距25um，且NMOS是DNW类型的器件
对此有以下疑问：
1. 二极管不容易发生Latch up吗？为什么间距只有10um？
2. DNW的NMOS相比于普通的NMOS是不是更不容易发生latch up？
3. DNW的NMOS和普通的NMOS距离PMOS的距离怎么抉择？