BJT ESD 保护电路

玖君00

   

u12u34 发表于 2022-8-24 17:44
ESD测试的时候芯片是不上电的而且测试的MK2基台有两根针扎在不同的PAD上测试ESD性能。所以针对上面那个结构 ...

请问一下，第五条VDD-PAD时，PNP的BE会不会击穿泄放？

玖君00

   

u12u34 发表于 2022-10-19 10:58
有可能 具体情况要从版图分析 看一下器件结构和mask层   还要结合一下PCM参数 现在分析的只是一个初步分 ...

还有就是为什么不直接上面有B接VDD的pnp，下面用B接VSS的npn？这种结构在np接击穿之前还要先过一个diode，这部变相提高了Vt1？