NMOS反型层的电子问题？

woodhorse007

电子来自栅G。
当Vg=0时，G是电中性，电子与质子一样多。
当Vg>0时，Vg向G充电，电子流向地，质子留在G上，形成正电荷。
由于衬底是等势面，电子集中到沟道位置，形成反型。

woodhorse007

   

染纱 发表于 2020-7-15 11:26
不同意，电子绝不可能来自栅极，它怎么过来？穿过氧化层？那不产生栅极电流了吗？
...

电子不会穿过氧化层的。

当Vgs>0进电子穿过源与栅的电源移动到地（衬底）。根据电源的类型，电子移动的电流可以是直接电流或位移电流。
然后在衬底接地位置的电子（或感生电子）在电场作用下向沿衬底向电势高的地方移动，最后到达栅相对的衬底。
由于介质阻挡，大量滞留电子形成反型。
同时滞留电子降低了反型的电势。当反型的电势降为0时，电子达到平衡。