HBM/MM/CDM failure的区别？

江湖人92 · 发表于 2022-9-8 09:54:40

请教个问题：HBM/MM/CDM 对IC的damage，有什么区别？
比如CDM更容易造成栅氧损伤，那么HBM和MM的主要区别在哪里？

江湖人92 · 发表于 2022-9-14 16:27:29

u12u34 发表于 2022-9-9 15:08
你可以看下我的博客里面有讲这三种ESD模型，这三种模型是模仿芯片在制造，运输，使用中遇到的不同类型的放 ...

这个我明白，失效类型有没有什么区别？
比如CDM一般是GOX击穿，HBM一般是热损伤一类的。。。

江湖人92 · 发表于 2022-9-19 19:55:42

u12u34 发表于 2022-9-14 18:52
CDM主要是栅击穿，HBM不好说我做过很多FA，失效的情况五花八门。如果是输入级发生ESD失效一般是软失效 ...

器件隔离环失效我也遇到过，是不是因为环的width 或者环到AA区的space不够？

江湖人92 · 发表于 2022-9-20 09:34:57

linda1518b 发表于 2022-9-19 22:38
如果是MOS的話, HBM有可能死在中間, 但MM經常死在兩端~~參考看看

中间和两端是什么意思？？？什么的中间和两端？

江湖人92 · 发表于 2022-9-20 09:35:54

u12u34 发表于 2022-9-20 09:10
嗯啊是这样的我们是VIA打少了距离也不够反正现在只是吸取了教训至于原因还是不太清楚
...

你们是哪个工艺节点的？隔离环width 和space 设置为多少的？

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