HBM/MM/CDM failure的区别？

江湖人92 · 发表于 2022-9-8 09:54:40

请教个问题：HBM/MM/CDM 对IC的damage，有什么区别？
比如CDM更容易造成栅氧损伤，那么HBM和MM的主要区别在哪里？

u12u34 · 发表于 2022-9-9 15:08:38

你可以看下我的博客里面有讲这三种ESD模型，这三种模型是模仿芯片在制造，运输，使用中遇到的不同类型的放电事件。HBM模型是仿真人体带电直接摸芯片，MM是机械模型是仿真机械探针等带电机械接触芯片，CDM是仿真芯片因为摩擦等原因自身生成的电荷瞬间释放的过程。

这三种模型最大的区别就是波形不一样，具体参数我的博客里面有写。

江湖人92 · 发表于 2022-9-14 16:27:29

u12u34 发表于 2022-9-9 15:08
你可以看下我的博客里面有讲这三种ESD模型，这三种模型是模仿芯片在制造，运输，使用中遇到的不同类型的放 ...

这个我明白，失效类型有没有什么区别？
比如CDM一般是GOX击穿，HBM一般是热损伤一类的。。。

u12u34 · 发表于 2022-9-14 18:52:38

江湖人92 发表于 2022-9-14 16:27
这个我明白，失效类型有没有什么区别？
比如CDM一般是GOX击穿，HBM一般是热损伤一类的。。。
...

CDM主要是栅击穿，HBM不好说我做过很多FA，失效的情况五花八门。如果是输入级发生ESD失效一般是软失效，就是MOS的栅氧化层出现损伤有可能是栅氧化层的问题。如果是输出级发生失效，大概率是源漏热损伤。有些时候HBM有时会造成器件隔离环的损伤，（原因未知）。有的电路IO进来会过一个电阻，HBM下的电阻失效也要看电阻类型，ploy电阻 well电阻，重掺杂电阻在HBM下的失效机理也不尽相同。之前做FA也见过通孔和金属出问题的情况。HBM没有固定的失效模式和失效位置，要看器件类型。