HBM/MM/CDM failure的区别？

江湖人92 · 发表于 2022-9-8 09:54:40

请教个问题：HBM/MM/CDM 对IC的damage，有什么区别？
比如CDM更容易造成栅氧损伤，那么HBM和MM的主要区别在哪里？

u12u34 · 发表于 2022-9-9 15:08:38

你可以看下我的博客里面有讲这三种ESD模型，这三种模型是模仿芯片在制造，运输，使用中遇到的不同类型的放电事件。HBM模型是仿真人体带电直接摸芯片，MM是机械模型是仿真机械探针等带电机械接触芯片，CDM是仿真芯片因为摩擦等原因自身生成的电荷瞬间释放的过程。

这三种模型最大的区别就是波形不一样，具体参数我的博客里面有写。

江湖人92 · 发表于 2022-9-14 16:27:29

u12u34 发表于 2022-9-9 15:08
你可以看下我的博客里面有讲这三种ESD模型，这三种模型是模仿芯片在制造，运输，使用中遇到的不同类型的放 ...

这个我明白，失效类型有没有什么区别？
比如CDM一般是GOX击穿，HBM一般是热损伤一类的。。。

u12u34 · 发表于 2022-9-14 18:52:38

江湖人92 发表于 2022-9-14 16:27
这个我明白，失效类型有没有什么区别？
比如CDM一般是GOX击穿，HBM一般是热损伤一类的。。。
...

CDM主要是栅击穿，HBM不好说我做过很多FA，失效的情况五花八门。如果是输入级发生ESD失效一般是软失效，就是MOS的栅氧化层出现损伤有可能是栅氧化层的问题。如果是输出级发生失效，大概率是源漏热损伤。有些时候HBM有时会造成器件隔离环的损伤，（原因未知）。有的电路IO进来会过一个电阻，HBM下的电阻失效也要看电阻类型，ploy电阻 well电阻，重掺杂电阻在HBM下的失效机理也不尽相同。之前做FA也见过通孔和金属出问题的情况。HBM没有固定的失效模式和失效位置，要看器件类型。

江湖人92 · 发表于 2022-9-19 19:55:42

u12u34 发表于 2022-9-14 18:52
CDM主要是栅击穿，HBM不好说我做过很多FA，失效的情况五花八门。如果是输入级发生ESD失效一般是软失效 ...

器件隔离环失效我也遇到过，是不是因为环的width 或者环到AA区的space不够？

linda1518b · 发表于 2022-9-19 22:38:02

如果是MOS的話, HBM有可能死在中間, 但MM經常死在兩端~~參考看看

u12u34 · 发表于 2022-9-20 09:10:35

江湖人92 发表于 2022-9-19 19:55
器件隔离环失效我也遇到过，是不是因为环的width 或者环到AA区的space不够？
...

嗯啊是这样的我们是VIA打少了距离也不够反正现在只是吸取了教训至于原因还是不太清楚

江湖人92 · 发表于 2022-9-20 09:34:57

linda1518b 发表于 2022-9-19 22:38
如果是MOS的話, HBM有可能死在中間, 但MM經常死在兩端~~參考看看

中间和两端是什么意思？？？什么的中间和两端？

江湖人92 · 发表于 2022-9-20 09:35:54

u12u34 发表于 2022-9-20 09:10
嗯啊是这样的我们是VIA打少了距离也不够反正现在只是吸取了教训至于原因还是不太清楚
...

你们是哪个工艺节点的？隔离环width 和space 设置为多少的？

u12u34 · 发表于 2022-9-20 10:44:31

江湖人92 发表于 2022-9-20 09:35
你们是哪个工艺节点的？隔离环width 和space 设置为多少的？

018 初版 width 2u space 5u 改版后 w没变 space拉到10了 via打满了这个问题就解决了

[求助] HBM/MM/CDM failure的区别？

站长推荐 /1