v2cot架构buck电路带载掉压

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FB在片内还是片外，FB有没有前馈电容，片外的FB的话，大概率是GND的NOISE太大，导致FB点节点冲高了，有前馈电容的话去掉会好一点，耦合路径是GND到FB的ESD DIO

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UCAS-cwt 发表于 2025-1-10 16:33
非常感谢！
FB管脚确实是片外的，芯片内部做了一个GGNMOS作为ESD器件，有一个2.2nF的前馈电容，将前馈电 ...

路径是FB对地有个ESD，当PGND的噪声很大的时候，或通过PGND to AGND CUT传到AGND; 从AGND to FB DIO传到FB，因为FB没有很强的sink/souce能力，所以GND的noise就会累计，
1）如果是外部反馈可以通过减小反馈电阻！
2）GND到LX并联肖特基
3）降低GND的Noise去优化
4）考虑PGND到AGND加2个cut

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UCAS-cwt 发表于 2025-1-13 11:48
请问FB管脚的ESD器件GGNMOS是不是不能直接连接到PGND，我们目前的设计是LDMOS不隔离，芯片的衬底PSUB是PG ...

这是不行的 一般ESD环对AGND多一点，PGND太吵了，需要cut隔离下

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UCAS-cwt 发表于 2025-1-14 18:42
前辈您好！我这几天试了去掉前馈电容并且在FB对RGND上加了100pF的电容，芯片拉载能力有所改善，是不是跟 ...

1.阻抗取决于ESD net，通常要控制在2ohm以内

2.这个主要跟负载相关，开关频率变化会让电感的peak电流变化影响