mos 管的噪声 noise 仿真

zhandch01

回答下你的第二个问题吧，关于管子W、L、veff的选择，现在比较流行的是用反型系数配合gm/ID法找到最佳的tradeoff和optimization。反型系数提供归一化模型，gm/ID找到比较贴近的计算数值。
具体的操作方法比较复杂，你可以看看《A CAD Methodology for Optimizing Transistor Sizing in Analog Design》，《A gm/ID Based Methodology for the Design of CMOS Analog Circuits and Its Application to the Synthesis of a Silicon-on-Insulator Micropower OTA》以及他们所引用的论文。
这些方法对理论的要求比较大，尤其是管子器件的物理性能。

zhandch01

回复 4# rfham


    不客气，平方率公式虽然对电路设计有很好的指导性，但是对于如今的短沟道器件已经无法得出哪怕相近的值。Binkley、Boris、Silveira、Jespers这些大牛们给出了行之有效的解决思路。可以多看看他们的论文，如果能和实战结合，那就真的能让自己的设计能力提升到一个新的层次了