关于MOS管的沟道长度效应的问题

chzhenqiu · 发表于 2017-4-2 13:40:51

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在拉扎维这本书的习题答案中，作者很多时候在使用triode区的Id公式时，喜欢把（1+λVds）乘上去。这个（1+λVds）不是考虑沟道长度效应的时候才有的吗？而且只有饱和区才会有沟道长度效应的。拉扎维《模拟CMOS集成电路设计》的习题3.8和3.25都是这样的，这种做法是正确的吗？

chzhenqiu · 发表于 2017-4-2 14:16:53

习题3.8

习题3.25

chzhenqiu · 发表于 2017-4-7 16:23:57

自顶一个

chzhenqiu · 发表于 2017-4-10 02:10:59

回复 4# leewisp

我不太明白的是作者为啥在triode区的漏电流公式里加上1+λVds，理论上公式不是这样的呀。是为了使triode区的曲线与能够与sat.区的曲线连续吗？感觉不加1+λVds的triode区漏电流公式才是正确的，因为有公式的推导。加1+λVds感觉是为了与sat.区的曲线连续起来，方便计算和分析。是这样吗？

chzhenqiu · 发表于 2017-4-10 02:12:03

回复 4# leewisp

我不太明白的是作者为啥在triode区的漏电流公式里加上1+λVds，理论上公式不是这样的呀。是为了使triode区的曲线与能够与sat.区的曲线连续吗？感觉不加1+λVds的triode区漏电流公式才是正确的，因为有公式的推导。加1+λVds感觉是为了与sat.区的曲线连续起来，方便计算和分析。是这样吗？

chzhenqiu · 发表于 2017-4-10 02:13:30

回复 4# leewisp

chzhenqiu · 发表于 2017-4-10 19:46:19

回复 11# leewisp

嗯嗯，好的，谢谢！

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