high performance bootstrapped switch（自举开关） cir design

superadc · 发表于 2014-6-20 16:57:42

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本帖最后由 superadc 于 2014-6-20 17:11 编辑

对于14bit 250M ADC 的设计，在SMIC 55nm 工艺下面结构自举开关能达到什么样的性能？SNDR SFDR 能够达到多少？
电压1.8V
大神们过来讨论下？目前输入频率为1.8V 55MHz SFDR=98dB SNDR=80dB 再往上调比较困难，必须换结构？

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seamasc1 · 发表于 2014-6-20 23:29:25

回复 1# superadc

建议：1）想办法提高M3的drain电压
2）M11的body接法慎重考虑
3）vin和M9之间插入source follower

另外，M6是否多余？有何作用？

superadc · 发表于 2014-6-20 23:51:21

回复 2# seamasc1

谢谢回复1）M6不多余，上图右错，M5的源应该接到M6源处；
M6可以使得M8的Vgs达到vdd
2）body该怎么接呢？普通NMOS难道用deepnwell?
3)source follow 作用是什么？减少ｖｉｎ看到的负载？

didibabawu · 发表于 2014-6-21 08:46:55

回复 3# superadc
M6的作用应该是保护M8。

xdtianzheng · 发表于 2015-8-5 09:05:57

不知道楼主这个自举开关最后做的怎么样了。

残桥挂月 · 发表于 2015-8-5 10:05:02

楼主是公司的还是高校的，这是准备用在SAR里面的呗

安夏 · 发表于 2017-7-20 11:30:42

回复 2# seamasc1

你知道输出频谱怎么仿真吗？

typhoon222 · 发表于 2018-4-19 16:06:17

回复 seamasc1

谢谢回复1）M6不多余，上图右错，M5的源应该接到M6源处；
M6可以使得M8的Vgs达到vdd ...
superadc 发表于 2014-6-20 23:51

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M5的源应该接到M6源处，vin较高的话，PMOS能完全打开么？

LSLS1997 · 发表于 2022-4-12 20:55:12

图呢，图片挂了？

[讨论] high performance bootstrapped switch（自举开关） cir design

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