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[求助] 【火急】Pmos管衬底接地!?火急!!!

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发表于 2012-5-3 10:20:43 | 显示全部楼层 |阅读模式

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111.jpg 11.jpg
如图所示,分析确认左上角及下方管子为p管,中间为mos电容,周围内环(没有封口,为何?也没有从这边走线)、外环通过第一层金属直接连在一起接地了!个人认为内环应该是接阱的,但是为什么接地了呢!   中间再也找不出p管的衬底从哪里引出接高电位了。可能情况有:
1. 接地,从没见过。。。
2.悬空,n阱悬浮
3. 里面都是n管...电路功能不对。

这电路是RFID天线整流部分的电路,研究过电荷泵的应该都知道 高低电位是不断变化的,也就是说在每一级中不存在高低电位,衬底接法比较纠结,希望有经验的大虾指点啊!!!!!
 楼主| 发表于 2012-5-3 14:18:25 | 显示全部楼层
没有人懂么!~
发表于 2012-7-18 09:31:09 | 显示全部楼层
衬底接法比较纠结,希望有经验的大虾指点啊......
发表于 2012-7-18 11:02:20 | 显示全部楼层
接去最终稳态时的最高电压,在刚开始start up时衬底接地电位是允许的,但是设计时要考虑latch up的问题。
发表于 2013-6-8 14:06:39 | 显示全部楼层
"分析确认左上角及下方管子为p管,中间为mos电容"

我想知道这是怎么确认的
发表于 2013-6-8 17:14:01 | 显示全部楼层
没细看你的电路和问题,只能告诉你有的工艺的管子衬底是可以悬浮的 也就是floating的。
发表于 2019-8-1 15:44:29 | 显示全部楼层
这个是不是用了SOI的工艺,SOI工艺中的衬底能够接地
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