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为什么bip的1/f噪声比mosfet要小？

发表于 2007-11-16 12:49:16 | 显示全部楼层 |阅读模式

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为什么bip的1/f噪声比mosfet要小？

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发表于 2007-11-16 19:22:57 | 显示全部楼层

这个不是小不小的问题，而是有没有。

biploar是没有1/f noise的。这是器件的结构决定的，具体你可以去比较他们的结构差异。

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发表于 2007-11-16 19:58:32 | 显示全部楼层

BJT是有1/f噪声的，因为这种噪声的产生主要和界面态有关，所以BJT和MOSFET 都有，至于为什么BJT小，我也很想知道

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发表于 2007-11-16 21:52:50 | 显示全部楼层

1/f跟表面的状态有关，mos的载流子在表面附近流动，受表面影响比较大

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发表于 2007-11-17 12:27:30 | 显示全部楼层

原帖由 zhanglanjun 于 2007-11-16 19:58 发表
BJT是有1/f噪声的，因为这种噪声的产生主要和界面态有关，所以BJT和MOSFET 都有，至于为什么BJT小，我也很想知道

你是对的，我弄错了，bipolar是有1/f 噪声。但确实比较小一些，具体我也不清楚。

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发表于 2007-11-17 12:44:22 | 显示全部楼层

学习了，噪声问题好复杂哦

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楼主| 发表于 2007-11-19 13:01:52 | 显示全部楼层

4楼的说法感觉有点道理

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楼主| 发表于 2007-11-19 13:08:23 | 显示全部楼层

Since the 1/f noise is associated with current flowing at the surface of the channel, the
lateral BJT offers a lower 1/f noise input device because the majority of current flows
beneath the surface.

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发表于 2007-11-19 13:12:35 | 显示全部楼层

一般在表面的1/f比较厉害，bipolar是纵向结构，电流是垂直流动，横向的长度短；
而mos电流是横向流，横向长度大，所以MOS的1/f比bipolar大

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sayun sayun 当前离线积分 70 头像被屏蔽	发表于 2007-11-19 13:33:45 \| 显示全部楼层提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
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