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楼主: zhengqh123

[求助] 电源管理芯片的ESD 为什么都是只用ggnmos

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发表于 2019-3-13 11:25:12 | 显示全部楼层
good mark
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发表于 2019-6-12 21:49:43 | 显示全部楼层
多谢分享
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发表于 2019-6-12 21:55:54 | 显示全部楼层
多谢分享
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发表于 2019-6-19 13:32:12 | 显示全部楼层
先是io对gnd击穿,然后gnd对vcc击穿,所以只要一个对gnd的esd,但是vcc对gnd的esd必须要
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发表于 2019-12-23 19:30:36 | 显示全部楼层
好,学习了
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发表于 2020-2-27 16:58:41 | 显示全部楼层


   
ESDWizard 发表于 2018-2-4 22:36
回复 1# zhengqh123

以我的经验,IO口采用ggNMOS而不是dual diode + clamp的方案,在某foundry叫做fail s ...


good!
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发表于 2020-3-2 00:08:15 来自手机 | 显示全部楼层
不一定纳,大厂的芯片都用的
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发表于 2020-4-10 17:58:47 | 显示全部楼层
多谢分享,受教
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发表于 2020-4-29 22:45:55 | 显示全部楼层
因为对电源的话可以先击穿对地的ESD,然后通过地对电源的ESD的体二极管泄放能量!
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发表于 2020-5-19 15:25:29 | 显示全部楼层


   
ESDWizard 发表于 2018-2-4 22:36
回复 1# zhengqh123

以我的经验,IO口采用ggNMOS而不是dual diode + clamp的方案,在某foundry叫做fail s ...


学习了,
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