电源管理芯片的ESD 为什么都是只用ggnmos

xmyshine · 发表于 2020-5-27 22:08:40

学习学习

我诗故我在 · 发表于 2020-6-19 14:40:42

good mark

allen2014 · 发表于 2020-6-29 23:42:27

看一看

Rithan_liqian · 发表于 2020-7-27 11:23:33

请问万一PAD输入一个很负的电压会怎么样?ESD是怎样处理这个非常负的电压呢？-1000V会出现这样的情况吗

zhlblaze · 发表于 2020-7-27 13:23:39

ESDWizard 发表于 2018-2-4 22:36
回复 1# zhengqh123

以我的经验，IO口采用ggNMOS而不是dual diode + clamp的方案，在某foundry叫做fail s ...

mark，学习了。

renrensd · 发表于 2020-8-7 09:47:27

mark，学习了。

Baca. · 发表于 2021-8-6 00:45:44

我有个疑问，虽然说高的esd电压可以对地击穿再泄放到电源，但是这样理论上来说会有高于vdd而又无法触发esd泄放的静电存在于io上？因为没有对vdd的直接路径，这样会不会对电路有损坏？还是说esd电压一般都很高，不存在这种情况？

sunnyjet16 · 发表于 2021-8-25 15:57:43

学习了

moqqcn · 发表于 2021-11-1 17:22:19

学习了

moqqcn · 发表于 2021-11-1 19:45:39

学习了

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