电源管理芯片的ESD 为什么都是只用ggnmos

单程旅途 · 发表于 2022-4-6 17:43:27

学习了

rvisk · 发表于 2022-5-14 15:50:47

ESDWizard 发表于 2018-2-4 22:36
回复 1# zhengqh123

以我的经验，IO口采用ggNMOS而不是dual diode + clamp的方案，在某foundry叫做fail s ...

一直没有理解 fail safe 的io 功能，大佬能解释下吗

franzjoseph · 发表于 2022-6-27 16:46:05

Baca. 发表于 2021-8-6 00:45
我有个疑问，虽然说高的esd电压可以对地击穿再泄放到电源，但是这样理论上来说会有高于vdd而又无法触发esd ...

接地会慢慢泄放或者浮空时以电容的形式存在

isunxun · 发表于 2022-8-28 17:23:18

GC可能会误触发

u12u34 · 发表于 2022-8-30 19:13:19

防止浪涌电源上万一有浪涌 RC-Clamp直接误触发了但是GGNMOS只看Design Window

linda1518b · 发表于 2022-9-1 21:27:18

如果用diode, 就會漏電, 會讓PMIC的效率降低, 這樣就喧賓奪主了~

franzjoseph · 发表于 2023-2-12 11:21:20

rvisk 发表于 2022-5-14 15:50
一直没有理解 fail safe 的io 功能，大佬能解释下吗

可以理解为PAD对VDD的倒灌

不负如来不负卿 · 发表于 2023-8-30 14:23:13

thanks

yylei · 发表于 2023-9-7 22:07:23

本帖最后由 yylei 于 2023-9-7 22:10 编辑

应该要看应用场景吧，如果IO是非常低速信号，用GGNMOS就可以，如果IO有快速反转信号，是不能用GGNMOS的，只能用dual diode+RC clamp。
楼上各位提到的不同电源域确实存在，但是通常局部会有自己的power domain，用RC clamp应该也是可以的。

起风了071 · 发表于 2023-10-8 10:44:58

good mark

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