电源管理芯片的ESD 为什么都是只用ggnmos

zhengqh123 · 发表于 2017-12-12 11:24:54

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请各位大牛指导一下，为啥只采用对地的GGNMOS这一单一的ESD保护通道，没有对电源的保护通道（除了电源PAD对地PAD）。

andy2000a · 发表于 2017-12-12 12:12:53

请各位大牛指导一下，为啥只采用对地的GGNMOS这一单一的ESD保护通道，没有对电源的保护通道（除了电源PAD对 ...
zhengqh123 发表于 2017-12-12 11:24

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个人浅见 ggscr 会 latch . 一般不希望发生 vcc_pin latch

powerboy711 · 发表于 2018-1-19 21:52:21

模拟版图节省面积，所以一般用一个GGnmos，纯数字版图会两个都用。

OLED721 · 发表于 2018-1-20 22:09:23

不希望对电源有寄生，我不确定

ksg12 · 发表于 2018-2-4 21:11:04

GGNMOS能够实现保护，为什么要用复杂的？简单实用，效果好。

ESDWizard · 发表于 2018-2-4 22:36:17

回复 1# zhengqh123

以我的经验，IO口采用ggNMOS而不是dual diode + clamp的方案，在某foundry叫做fail safe IO。此类IO的场景一般是，芯片不同电压域之间，存在某个电压域已经power off，还有电压域仍然power on的应用。此时，如果采用dual diode + clamp的方案，那么在power off的电压域，就存在IO口到VDD的forward diode电流通路，导致非常大的漏电。

希望有帮助~

jerwei · 发表于 2018-2-22 10:14:45

same as #6

newjie · 发表于 2018-3-17 10:42:15

6楼正解。
还有一条就是若采用上述做法，会多出一条宽的电源线。

analogg · 发表于 2018-8-22 15:30:47

回复 6# ESDWizard

good mark

ni2121 · 发表于 2018-8-28 21:40:44

good mark

[求助] 电源管理芯片的ESD 为什么都是只用ggnmos

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