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[求助] 关于cell的HVT、NVT、LVT与cell的功耗问题

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发表于 2014-11-10 16:33:19 | 显示全部楼层 |阅读模式

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cell的VT应该与cell的功耗有很大关系,阈值电压越高,功耗越大,同一种cell的了leakage_power应该是LVT 〉NVT > HVT,
可是库中的定义严重摧毁了我的世界观,HVT的cell竟然比NVT的leakage_power要大??!!如下图,
烦请大大们指导一二,不胜感激!
7.PNG 8.PNG 9.PNG
 楼主| 发表于 2014-11-10 17:41:48 | 显示全部楼层
自己顶起!!!!!!!!
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发表于 2014-11-10 20:24:53 | 显示全部楼层
看看CDL里调的是什么管子
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发表于 2014-11-11 10:10:21 | 显示全部楼层
leakage和温度,corner有关系的,不是一层不变的,

这个问题直接问lib vendor啊,

有的值也不准的,
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发表于 2014-11-11 10:10:21 | 显示全部楼层
leakage和温度,corner有关系的,不是一层不变的,

这个问题直接问lib vendor啊,

有的值也不准的,
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 楼主| 发表于 2014-11-11 14:25:43 | 显示全部楼层
回复 5# icfbicfb
    谢谢,
                请问老大:如果是相同的PVT等外部条件,HVT的leakage_power应该是比LVT的低吗?
                      还有:leakage_power就是指静态功耗吧?LVT与HVT的功耗相比,是动态功耗增大还是静态功耗增大?
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发表于 2014-11-11 16:16:18 | 显示全部楼层
温度,corner还有gate length等等都会有影响。其他条件相同的话应该是hvt<svt<lvt。
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发表于 2014-11-11 19:51:17 | 显示全部楼层
回复 1# hongshanic


   建议问问ventor吧    把消息告诉我们  
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发表于 2014-11-13 11:04:06 | 显示全部楼层
不能这样简单比较
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发表于 2014-11-13 22:07:43 | 显示全部楼层
相同PVT下面是HVT<RVT<LVT的,而且相差还很大,你问一下vendor,我也想知道,请问是什么工艺??
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