native mos 一般用在那邊

peterlin2010

native mos 一般用在那邊  ?

有一說 一般 low volt 如 vth=0.75
native = 0.2v  或更低 .
但是有些家  native 只有 nmos vth變低

那大家 都拿 native mos 做何用?
還有 native mos size 會比一般大嗎?

native mos 有何缺點 ?

再來 thick oxide 如 40v gate oxide都很厚下　ｖｔｈ　又很高
除非 dmos 換ldnmos  但是 ldnmos 是 thin oxide 下低壓 低vgs
那為何 thick oxide mos無法做到 native mos ?

就是 vgs 可耐高壓  但 又 vth 低 ..
會如此須要是 有些 gate driver  須要 wide range vcc .
5V  跟本不夠 高   得拉大 mos w ..

xyshsi

native 主要优点：1，用做MOS电容，比较稳定，不像一般MOS工作在亚阈值区时，电容很小。
                 2，用在LDO源跟随时，有效降低drop
                           3,由于不需要额外压降，在低压应用中，提高PSRR
                          4，做在外延层上，不需要额外掩膜版。
           缺点：1，由于是Nmos,阈值接近为0，所以不好关断，有时可能产生漏电。
                 2，做在外延上，一致性不太好。
                 3，最小尺寸可能比普通管大。
                 4，不好做开关。

peterlin2010

native 主要优点：1，用做MOS电容，比较稳定，不像一般MOS工作在亚阈值区时，电容很小。
                 2，用在LDO源跟随时，有效降低drop
                           3,由于不需要额外压降，在低压应用中，提高PSRR
                          4，做在外延层上，不需要额外掩膜版。
           缺点：1，由于是Nmos,阈值接近为0，所以不好关断，有时可能产生漏电。
                 2，做在外延上，一致性不太好。
                 3，最小尺寸可能比普通管大。
                 4，不好做开关。
xyshsi 发表于 2013-5-22 18:45

                               
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先前聽說  RF design 會拿 low Vth mos  使用.
but native mos  size 很大

在外延层上，不需要额外掩膜版。
=> 是說 epitaxial layer 不須要多 mask  ?
不懂, 要調 mos vth 應該 PROCESS 會調
有看過 native mos  Nmos vth 變低, 但是 pmos 絕對值變更大  
  就是只有 native nmos 能拿來使用 , WHY ?

xyshsi

回复 3# peterlin2010


    native管其实就是做在epi（就是P-）上的nmos。
有些工艺有LVT管，但是，需要多一层MASK来处理。

czq1419

学习了，从来没用过native MOS

peterlin2010

who have 0.5um process native nmos , pmos

40v high Volt mode 可以有 low vth  , thick oxide ?

chenxiaoming

low voltage

colnie

帮助顶一下

free_birdcn

native mos 还适合应用在低静态功耗基准中

rainbow_zhaocl

我想问，1,耗尽型就是0阈值管？
2,40V BCD工艺中，高压管能作耗尽型管？
望指导