关于NMOS和PMOS的噪声问题

vincentzhu · 发表于 2006-12-5 09:37:38

闪烁噪声是指的氧化层和硅界面初因为悬空键引起的，对于ＰＭＯＳ这种埋沟器件，是在衬底内的，所以会小很多

noman_dgf · 发表于 2006-12-7 11:44:27

MOS的阈值电压由四个部分决定：接触电势、费米能级、氧化层中的电荷、耗尽层电荷，PMOS的这四项都是负值，因此PMOS阈值电压会比NMOS的高（指绝对值），为了调节PMOS的阈值电压，有时会在把PMOS的沟道表面重掺杂，也就是在平带电压之下其实S、D之间是由P掺杂导通的，但是在栅上没有电压时由于接触电势和氧化层中的电荷沟道是不导通的，在栅上加负电压时，沟道会先在沟道下面掺杂的P型和衬底的PN结处形成，而不是在氧化层和衬底表面处形成，由于1/f是氧化层和硅界面因为悬空键引起的，所以隐埋沟道的PMOS（并不是所有的PMOS都是隐埋沟道）闪烁噪声系数小。