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[原创] 版图中宽电源线和地线离得很近有问题吗

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发表于 2019-3-4 20:36:04 | 显示全部楼层 |阅读模式

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公司芯片目前在做芯片后端,55nm工艺,后端工程师把top2 metal用作芯片的VDD/VSS走线,VDD和VSS交替排布,metal宽10um,metal间的间距为1um,我是觉得metal的间距太窄了,而且每根metal的长度很长,有2mm,请问各位大神:间距这么小的宽metal,会不会有什么问题,比如应力、高温引起金属变形,会不会引起短路,又或者有其他问题呢?请大神不吝赐教。
发表于 2019-3-5 04:57:18 | 显示全部楼层
DRC有问题吗?
 楼主| 发表于 2019-3-5 09:18:51 | 显示全部楼层
回复 2# maomao198477

DRC没有报错。
发表于 2019-3-5 09:31:35 | 显示全部楼层
你们没有宽铝rule吗?
发表于 2019-3-5 09:44:19 | 显示全部楼层
您好。
1,金属间距是否足够的问题;
  可以在设计规则中查到,一般宽金属的间距会大一些,原因也是如你考虑的那样,防止短路,你只需要核查1um是否满足规则;
  更宽的金属,如你所考虑的那样,应力问题,这个也是有规则的,一般通过slot挖洞解决;但据我经验,10um的金属还用不到这个规则。
2,如果满足DRC规则,那么电源线和地线靠得近,好不好?
  答案是好!
  因为靠近带来的寄生效应是电源和地之间的寄生电容增大,电源和地之间的电容越大,电源越稳定。
  电源和地之间经常要专门加电容,如果芯片内部的这个电容不足,还会在芯片外部增加电容。
发表于 2019-3-5 09:45:22 | 显示全部楼层
DRC过了就没问题
倒是需要担心一下density问题,如果并排走了好几组的话
 楼主| 发表于 2019-3-5 09:55:24 | 显示全部楼层
回复 5# yanpflove

非常感谢,正是我需要的答案,我会再问问foundry是否满足工艺要求。
发表于 2019-3-5 23:50:12 | 显示全部楼层
顺便说下,有的把电源地线用两层金属,重叠放置,增加电容
发表于 2019-3-6 08:45:46 | 显示全部楼层
回复 8# 大力射门

谢谢,又学到了一招。想了一下,我们之前为什么没想到这招呢?应该是因为我们做的都是低成本产品,走线空间紧张,没有多少电源线和地线重叠的机会,所以就没有考虑过。(囧( ╯□╰ ))
但总体思路是相通的,时间允许的情况下,也会把所有能利用上的地方都加上电源和地的电容。
发表于 2019-3-8 10:21:11 | 显示全部楼层
意思是一根电源线一根地线为一组 然后好几组,会比几根电源线 下边几根地线这种排布好吗?这样电源地之间寄生电容大
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