TSMC Flash IP 的使用问题

wuxiuying18

TSMC flashIP核的specification中，会有这样一个东西：“erase reference cell”
请问：
1. 这个“reference cell”是个什么东西？？
2.specification中说：“Since the read operation needs erased reference cell, customer must perform the erase reference cell test mode ONCE on fresh sample.”     在IP里面这个reference cell 到底起什么作用？如果不擦除是不是完全读不出来数据？
    请大神赐教啊，救急，在线等大神

memcad

回复 1# wuxiuying18
没使用过，根据自身经验，IP内部需要reference cell作为参考，因为wafer出来后，所有flash单元内部浮栅电荷状态不确定，所以这个cell必须进行erase，保证其特性。如果wafer的测试交给tsmc的，它会帮你做掉。但是一般只是客户自己处理。那么designhouse应该不仅对reference cell进行擦除，还要对flash ip进行测试并全擦除干净后交给最终用户。

wuxiuying18

回复 2# memcad


   谢谢您的回复，我执行了erase reference cell 的操作，但是由于没有反馈不知道此操作是否成功，因为目前仍然无法读出flash的数据，只是通过外部工厂模式下可以对flash进行编程、擦除以及读的操作。现在不理解的是既然工厂模下能读出flash IP 的数据，为什么用户模式下无法读出呢？因为毕竟无论是工厂模式下还是用户模式下，到IP端口上的控制信号就是同一路信号了，在线继续等待大神解答，

haimo

就是2楼说的意思，你可以看成一个校准机制，类似有些eflash的trim操作。
否则比如你写入的是FFFF，读出可能是ABCD
举个生活中的例子，例如电子秤，同一个厂家出厂但偏颇较大，有的客户放上一个10kg的东西，显示10.5kg，有的客户显示9.5kg，那么显示10.5kg的客户校准栏要写-0.5kg，而显示9.5kg的客户校准栏要写+0.5kg，这样显示的就对了，这样放上一个标准的东西进行校准的操作就相当于erase reference cell。
即使厂家给你做了，到你手里后，你还会再做一遍，因为一路上的颠簸，温度，环境，碰撞可能都会导致电子秤还是失准。

wuxiuying18

回复 4# haimo
感谢4楼的回复，我目前读不出flash的任何数据，就此进行判断，是否可以理解为与reference cell 关系不大，而是控制信号出了问题？

haimo

你在用户模式下不能烧写吗，
一般从出厂拿到ip后先做一下erase reference cell，然后进入测试模式，通过spi或i2c接口控制eflash的控制接口进行测试筛片，选过的片子就可以正常进入工作模式，通过用户自己设计的eflash controller进行读写擦操作。

wuxiuying18

回复 6# haimo

谢谢你的回复，是的用户模式下也不能烧写，也无法读出数据，感觉flash就像尸体一样躺在里面一动不动，尴尬了，折腾了十几天了仍然没有任何效果。但是工厂模式下都是正常的。

haimo

通过外部工厂模式下可以对flash进行编程、擦除以及读的操作，这个具体是怎么操作的？
用户模式是自己写一个flash_ctrl控制外部flash吗？

wuxiuying18

回复 8# haimo


   工厂模式实际上就是IP的测试模式下的工作方式，用户模式就是IP的非测试模式下的工作模式，现在已经完全ok，感谢您的回复。

haimo

回复 9# wuxiuying18

ok的原因是什么呢