CMOS工艺bipolar model不准

peter_fu · 发表于 2018-8-22 16:25:23

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最近在研究CMOS工艺的bipolar model的准确性，扫描电压，测试IC,IB,IE电流。发现仿真值和fab提供的测试值有~15%的差异（已确认仿真条件和fab测试条件一致）。
大家有碰到类似情况吗？bipolar的model都不准吗？还是我用的这个工艺比较烂。
欢迎大家讨论。

peter_fu · 发表于 2018-8-22 17:54:18

顶一下

peter_fu · 发表于 2018-8-22 18:01:04

pdauser1002 · 发表于 2018-8-23 08:30:44

CMOS里的bipolar都是Parasitic，大部分都是用来做带隙电路。
15%误差应用上应该没有问题，我想Matching恐怕更重要。

peter_fu · 发表于 2018-8-23 09:17:37

回复 4# pdauser1002

我也是做一个基准，内部做了trimming电路，仿真发现其他电阻及opa的mismatch都能trimming回来。但bipolar微小的offset就会对输出产生极大的影响。
15%的IV curve差异可能对于通常的基准来说都没问题，但我这个基准的精度要求远高于通常所用，所以表示很担心啊。

pdauser1002 · 发表于 2018-8-23 11:15:59

如果能调整Bipolar Model 的参数去fit测量值，然后再进行仿真。
或比较其它corner的IV。
再不然如果真有什么不测，至少有个东西可怪！

peter_fu · 发表于 2018-8-23 11:37:13

回复 6# pdauser1002

让fab重新fit model是个好主意！多谢。
我们也在和fab沟通了，但是又存在沟通时间成本的问题。

PowerTheFuture · 发表于 2018-8-26 09:06:14

bipolar使劲堆面积吧

peter_fu · 发表于 2018-8-28 09:03:23

回复 8# PowerTheFuture

嗯，面积用的已经很大了。1：n，n取值也比较大了。

PowerTheFuture · 发表于 2018-8-29 07:44:46

发射极有多大？

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