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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › Analog/RF IC 设计 › Analog/RF IC 设计讨论 › 实际量产中带隙基准如何做高阶补偿？
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查看: 4024|回复: 11

[求助] 实际量产中带隙基准如何做高阶补偿？

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tf001
发表于 2018-8-1 09:30:28 | 显示全部楼层 |阅读模式

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现在在做一个带隙基准，要求仿真在12ppm以内，暂不考虑封装的影响，也用的好的bipolar工艺，用普通的一阶补偿做不了那么小，但是用高阶补偿在一个工艺角OK，其他工艺角就炸了，蒙特卡罗仿真和一阶比差不了太多，想问下大家实际量产中对ppm要求比较高时是怎么做的？（注意是量产，不是只跑一个corner）
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haichao89
发表于 2018-8-1 10:13:00 | 显示全部楼层
用普通的cmos工艺做过一个, mc=400, TC max <11ppm. 不过还没tapout, 还只是纸上谈兵。
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tf001
 楼主| 发表于 2018-8-1 11:01:36 | 显示全部楼层
回复 2# haichao89


   你好，用的是哪种结构呢？
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haichao89
发表于 2018-8-1 12:48:25 | 显示全部楼层
leung 结果加二阶补偿。
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tf001
 楼主| 发表于 2018-8-1 13:16:18 | 显示全部楼层
回复 4# haichao89 二阶补偿用VBE偏置不同温度系数的电流下实现？
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haichao89
发表于 2018-8-1 13:50:15 | 显示全部楼层
我觉得你的问题不在二阶补偿上, 因为你的TTcorner 已经可以满足要求了,关键是把corner的偏差问题解决。
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kwankwaner
发表于 2018-8-6 15:40:30 | 显示全部楼层
回复 1# tf001


   用更好的工艺，或者更昂贵的校准
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tf001
 楼主| 发表于 2018-8-8 13:58:02 | 显示全部楼层
回复 7# kwankwaner


   更好的工艺是因为工艺角变化更小是吗？有没有电路补偿方法可以用的，现在在看beta补偿技术
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kwankwaner
发表于 2018-8-8 19:12:50 | 显示全部楼层
回复 8# tf001


   对
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tf001
 楼主| 发表于 2018-8-8 19:26:28 | 显示全部楼层
回复 9# kwankwaner


   谢谢您的建议，那还有什么电路设计方法可以弥补一定的工艺偏差吗？
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