LDO后仿真失配的问题。

7OD · 发表于 2017-11-17 10:23:26

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LDO的基准和Vout后仿真失配，使用T90工艺，请教此工艺下有什么需要特别注意的方面哦？匹配、LOD、STI、WPE都考虑了，有一个电流镜是M1:M2=2:8，将M1改为f=2漏端电流变小，后仿真失配更小，但任然失配，各位有何经验求指教下，谢谢大家了先。

我力可 · 发表于 2017-11-17 11:13:47

上传对应的layout看看？

7OD · 发表于 2017-11-17 15:21:06

回复 2# 我力可

电流镜

xingmem · 发表于 2017-11-17 17:00:08

回复 3# 7OD
共享S，两端做SA/B 大于2um,试试。

7OD · 发表于 2017-11-17 17:07:25

回复 4# xingmem

一开始是的，AAAABBAAAA加DUM，然而失配，分开放还好一点。

xingmem · 发表于 2017-11-18 09:30:33

回复 5# 7OD

你的SA/B 大于2um了么？大于2um 对Id影响才趋于一致，也可能是电路结构导致的失陪，可以试着把器件尺寸调大一些，试试。

7OD · 发表于 2017-11-18 13:31:08

回复 6# xingmem

哦，谢谢，我试下看

looksky34 · 发表于 2017-11-18 16:10:48

具体失配有多大，对路的影响是什么，是否在容忍的范围内

我力可 · 发表于 2017-11-20 15:55:56

回复 3# 7OD

个人建议不要将M1，M2用ring分开，然后layout的时候考虑一下电流方向匹配，也可以做成二维的匹配试试。

7OD · 发表于 2017-11-21 13:49:47

回复 8# looksky34

失配二十几毫伏，不能忽略的

[求助] LDO后仿真失配的问题。