三极管的vbe随corner变化很大，可以做出高精度的电压源吗

弹弹 · 发表于 2017-9-22 11:02:40

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ibm130bicmos8hp
想要做一个600mV精度正负2.5百分比的电压源，采用的banggap结构是电流加权结构，只是npn的vbe变化50mV，只考虑npn的corner已经超标了，根据公式折算到输出是30mV左右，还要考虑负温度系数的变化，我觉得很难做啊

nanke · 发表于 2017-9-23 10:50:00

所谓的精度，有绝对的，也有相对的。一定要求绝对准确可以trimming。

弹弹 · 发表于 2017-9-25 10:58:52

回复 2# nanke

不做triming 保证输出电压在585mV--615mV之间

nanke · 发表于 2017-9-25 13:34:52

本帖最后由 nanke 于 2017-9-25 13:36 编辑

回复 3# 弹弹

BJT比mos管的工艺偏差小多了，不知道你用的哪个工艺，corner这么差？50mV?!! 我试了一下恒定电流下的VBE，corner偏差只有±10mV的，6sigma也只有40mV。
尽量减小除VBE偏差外的其它误差，然后注意匹配的话，前仿后仿，蒙特卡洛6sigma肯定能满足要求的。至于做出来多大误差，还和封装等其它因素有关。

用的是标准CMOS工艺里的pnp.

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