请各位帮忙分析一个DC-DC电源芯片的失效现象，多谢了！

feel100 · 发表于 2017-8-24 20:38:08

既然你损坏后有几十毫安电流，怎么不去做EMMI试验定位呢？另外你的power MOS layout有插入 PICK UP么？

fhyfbjl · 发表于 2017-9-6 19:22:47

既然你损坏后有几十毫安电流，怎么不去做EMMI试验定位呢？另外你的power MOS layout有插入 PICK UP么？
feel100 发表于 2017-8-24 20:38

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当然做了EMMI，发现有部分芯片VIN ESD损坏，也做了激光显微镜分析，发现损坏的点更多，而且每片的现象不一致，所以不好定位故障。功率管是整个一大片，没有分割，不过用的是NDMOS，Bulk和Source是短接在一起的

fhyfbjl · 发表于 2017-9-6 19:27:22

输出级上管和下管有坏的？
ESD 是什么类型的？ VIN电容焊在芯片什么位置
插座寄生电感太大 ring 的尖峰电 ...
m2ic 发表于 2017-8-24 18:28

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ESD是GGMOS，VIN电容靠近引脚，应该是开关瞬间过冲电压导致的问题，如果不能用插座测试的话，成测是个问题啊！ Boot引脚上串电阻没试过，明天试试看。

pandaoyzh · 发表于 2017-9-7 08:49:29

根据你的描述，这个现象是应该是过高的peak电压触发的latchup现象。源头1:VIN的ESD与Hight side之间发生Latchup。
源头2

ow Side与Hight side之间发生Latchup。
(1)你去查看VIN的ESD到Hight side，Low side之间的间距有没有大于80um？
(2)你去做FIB改善Low Side与Hight side的驱动电路，降低peak电压，在查看是否改善。
(3)SW上加RC的吸收电路测试peak电压是否降低。

qutang · 发表于 2017-9-7 09:10:53

本来就是5V工艺，可能是latchup

sunny14051 · 发表于 2017-9-7 10:17:01

BOOT端的ESD是不是也是用的5V管子？正常工作的时候，BOOT电压应该会到10V，所以ESD很容易击穿，你仿真一下BOOST端的ESD，将ESD gate接高，看看电流多大。或者做FIB，把BOOT端的ESD cut掉，再测试看看。

sunny14051 · 发表于 2017-9-7 10:19:04

VIN=4V，BOOT电压在8V，一切正常，VIN=5V，BOOT电压到10V，基本上到了5V管子的击穿电压了

m2ic · 发表于 2017-9-7 12:49:35

本帖最后由 m2ic 于 2017-9-7 12:53 编辑

回复 13# fhyfbjl

量产成测也不会你这样测试的，放心～真的有这么大spike 没法用的还是老问题：
推荐尽可能的焊到板子上避免socket寄生电感太大引起spike造成的问题，而忽略了其他一些潜在的bug
目前来看确实是你的尖峰毛刺太大引起的问题.
强调一点就是ESD测试能通过，并不代表你的SPIKE就不会让它损坏。
可能你要搞清楚ESD cell真正的工作机理~

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