关于bg电阻trimming引起的PSRR下降问题

kayd

请教前辈们，是否遇到过同样的问题，以及比较好的解决方案

bg

trimming_block

decoder_4to16

and

inv

第一张图为bg的部分sch
第二张图为trimming block内部sch
第三张图为4to16 decoder内部sch
第四张图为与门内部sch
第五张图为非门内部sch
电源VDD上的波动通过非门到SW选通信号，进而影响Iptat，最终影响VBG，极大的降低了PSRR，请问各位前辈是否有好的建议

TianBian365

你需要把你的开关show出来，另外和电阻的链接关系用草图画出。 trimming的电阻选择不合适。。

kayd

回复 2# TianBian365


   
如图所示

TianBian365

这样电路容易清楚，你用开关内阻来短接一个小step电阻，那么需要开关电阻要比step电阻小的多。
你的设计问题：
1. 由于 短接电阻的点位约0.7V左右，所以无需 cmos TG，仅仅nmos即可，该处pmos 始终是cut-off的。
2. 减少开关的数目， 开关短接的电阻数目可以1/2/4/8. 无需额外译码。这样开关减少到1/4.

其实这不是问题，关键你triming的电阻很敏感，且阻值小，对设计的性能影响很大，不建议triming该电租，改成其它电阻。。

king0798

楼上的建议都很有道理

楼主，你说的：电源VDD上的波动通过非门到SW选通信号，进而影响Iptat，最终影响VBG。
不大可能吧，SW选通信号接的是开关的栅极，怎么影响的Iptat。、
就算串扰过去影响，也只是很高的频率部分，怎么样也不会影响到100K以下的psrr

hehuachangkai

vdd上波动当然能通过sw直接耦合至bg输出了。。trimming时无法避免。我们仿真的时候，都是把选定register相关电阻拉粗来，不要sw进行仿真的。但事实上，我觉得我们的做法都不是真实应用环境，所以看到的pssr其实并不代表真实情况。。但又没有好的解决方法。。除非不用register，直接用otp烧不同值测试，最终选择合适电压，烧死，避免通过sw耦合。。

hehuachangkai

哦，otp也是sw，也不行。。。。还是等大神吧。。

kayd

回复 4# TianBian365


    非常感谢您的建议，我会认真考虑

kayd

回复 5# king0798


    应该是通过影响SW的电阻值从而影响Iptat，进而传递到VBG

kayd

回复 7# hehuachangkai


    还是非常感谢您的回复