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发表于 2015-9-12 21:13:15
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本帖最后由 lovekeduo 于 2015-9-12 21:34 编辑
说一下我的理解。BSIM3V3对MOS电容建模,是用一个四端口电容来模拟的,把四个端口电压对四个端口的电荷的影响分开来处理。总共定义了16个微分电容。比如对于g端口电压的变化,导致,g,s,d,b端口电荷的变化,就有四种对应的电容,分别是cgg,cgs,cgb,cgd. 满足cgg+cgs+cgb+cgd=0. 其他三个端口类似。如何从这16电容计算等效的任意两端口之间的电容,我也没有找到相关资料。不过可以近似这样来处理:每个端口虽然定义了4个微分电容,单是很多数值都很小,可以忽略,凡是比较大的电容,Cxy和Cyx数值都差不多,但不相等 ,任取一个作为cgs都可以。ic610仿真结果如下图所示,其中cgsov1应该是交叠电容,要加上这个结果。ic51的结果就没有这一项。
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