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楼主: wjx197733

[求助] 这两种结构的bandgap,输出电压为什么不同?

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发表于 2017-5-12 16:39:24 | 显示全部楼层
5楼版主让你思考的,大概就是这个意思吧。。多多思考。。
 楼主| 发表于 2017-5-12 22:09:35 | 显示全部楼层
回复 10# hehuachangkai

在XILINX的FPGA中,的确使用了左边的bandgap结构。
发表于 2017-5-13 17:40:16 | 显示全部楼层
本帖最后由 hszgl 于 2017-5-13 17:44 编辑

回复 10# hehuachangkai


    恕我直言,你的分析是错的。
    BANDGAP是个组合反馈,负反馈分量要大于正反馈分量。A,B只有在平衡的时候相同。在不平衡状态下,两条支路的反馈量不同,AB的电位也不同,不能单纯的定性分析。
    两种方式都可以使用,区别不大。只是左图对R1的匹配要求更高。
 楼主| 发表于 2017-5-14 22:15:29 | 显示全部楼层
回复 5# hszgl


    您好hszgl,感谢您的回复
    在我看来,右图中两个R1上的压降也是相等的。理由如下:右边电路中,M2和M3的栅源电压相同即这两个管子流过的电流相同(用Iab表示),于是右图中两个R1的电流也是一样的,都为Iab,因此两个R1的压降都为R1*Iab。
    同时放大器的作用使AB两点的电压也相同(用Vab表示),于是M2和M3的漏极电压都会等于Vbe(Q1)+R1*Iab也就等于bandgap的输出电压1.25V。
    有不对的地方,还希望您多多指点啊!
发表于 2017-5-15 23:04:15 | 显示全部楼层
本帖最后由 hszgl 于 2017-5-15 23:12 编辑

回复 14# wjx197733


   前面人已经回复你了,有沟道调制效应在,栅压相同ID不一定相同。
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