关于MOS管的沟道长度效应的问题

chzhenqiu · 发表于 2017-4-2 13:40:51

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在拉扎维这本书的习题答案中，作者很多时候在使用triode区的Id公式时，喜欢把（1+λVds）乘上去。这个（1+λVds）不是考虑沟道长度效应的时候才有的吗？而且只有饱和区才会有沟道长度效应的。拉扎维《模拟CMOS集成电路设计》的习题3.8和3.25都是这样的，这种做法是正确的吗？

chzhenqiu · 发表于 2017-4-2 14:16:53

习题3.8

习题3.25

chzhenqiu · 发表于 2017-4-7 16:23:57

自顶一个

leewisp · 发表于 2017-4-7 16:39:21

楼主还在纠结这个问题呀。。。。。这个东西可以在理论推导里带上计算，但你要是真去算W/L，一般是不考虑的，因为lamda很难提取，而且极其不准。一般都是先算个大概尺寸再慢慢调。我是这么理解的，反正目前我做的东西都不去计算lamda，而且当L〉1um时，调制效应不是很严重。

hszgl · 发表于 2017-4-7 16:55:58

回复 4# leewisp

那看来你没有读过Sansen的那本书了。

leewisp · 发表于 2017-4-7 17:45:49

回复 5# hszgl

能再说详细点么？可能我说的不对，我目前也刚开始干活不久。但我目前确实是选大的L，来避免mismatch和modulation

hszgl · 发表于 2017-4-8 11:16:45

回复 6# leewisp

L取1um以上是可以不考虑了。另外，在固定L的情况下λ也可以认为是不变的，所以先确定L，和最常用的W，通过仿真IV曲线可以提取λ。

chzhenqiu · 发表于 2017-4-10 02:10:59

回复 4# leewisp

我不太明白的是作者为啥在triode区的漏电流公式里加上1+λVds，理论上公式不是这样的呀。是为了使triode区的曲线与能够与sat.区的曲线连续吗？感觉不加1+λVds的triode区漏电流公式才是正确的，因为有公式的推导。加1+λVds感觉是为了与sat.区的曲线连续起来，方便计算和分析。是这样吗？

chzhenqiu · 发表于 2017-4-10 02:12:03

回复 4# leewisp

我不太明白的是作者为啥在triode区的漏电流公式里加上1+λVds，理论上公式不是这样的呀。是为了使triode区的曲线与能够与sat.区的曲线连续吗？感觉不加1+λVds的triode区漏电流公式才是正确的，因为有公式的推导。加1+λVds感觉是为了与sat.区的曲线连续起来，方便计算和分析。是这样吗？

chzhenqiu · 发表于 2017-4-10 02:13:30

回复 4# leewisp

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