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[求助] 请教在在设计BandGap时遇到温度系数一直偏大的问题

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发表于 2016-9-22 09:19:37 | 显示全部楼层 |阅读模式

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QQ截图20160922085220.png
根据此电路可以得到VREF=Iptat*R0+VBE,Q4,电路是在1.8V电压源下工作,我在仿真时根据仿真得到的Iptat曲线,计算出它的表达式,并根据仿真得到的VBE,Q4曲线,大致得到VBE跟温度变化的关系,然后通过两个曲线的关系式,得到最好的温度系数时所对应的R0的值,但是在用理想电阻时温度系数也只有30ppm左右,我看到很多论文上都做到了10ppm左右,甚至更小,而且我在把电阻换成工艺库下的电阻后仿真,得到的温度系数更差了。上升到48ppm了,求问各路大神,现在在这个结构下还该怎么改进或者调试?
发表于 2016-9-22 15:43:17 | 显示全部楼层
先发个输出电压对温度曲线来看看
 楼主| 发表于 2016-9-22 19:14:14 | 显示全部楼层
回复 2# zcg0697


   QQ截图20160922191530.png 输出电压曲线就是这样,我想得到比较小的温度系数,但感觉现在已经是穷途末路了
发表于 2016-9-22 20:42:47 | 显示全部楼层
這是二次曲線補償技巧,每家公司各有其方法。其實自己來發掘還滿有趣的。
我只能告訴你方向,剩下的你自己摸索會更有成就感。
首先找出為什麼PTAT跟NTAT互相抵消之後為什麼不是玲溫度係數?原因就是PTAT曲線沒有那麼直線,NTAT也是。
再來,就是運用一些MOS或DIODE組合成你要的曲線的電流,用電流鏡並聯到PTAT電流來補償達到你要的曲線,記得補償只能取些微的電流補償,不要想要大量的補償,否則會越補越糟。同時VREF那路徑的RES跟PNP也可以併聯如上述的電流來補償。
其他自己琢磨,住好運。
发表于 2016-9-22 21:47:08 | 显示全部楼层
即使没有其他高阶补偿,也不应该有48ppm这么大吧。可以分别仿下25,-40,85下的工作点,检查一下是哪里出了问题。
发表于 2016-9-23 00:06:57 | 显示全部楼层
不同種類的電阻有不同的溫度係數,改一下種類。
发表于 2016-9-23 10:46:19 | 显示全部楼层
本帖最后由 zcg0697 于 2016-9-23 10:53 编辑

R0,R2用相同的电阻,另外为什么电阻电流不一样,但是MOS管电流又是一样的?
 楼主| 发表于 2016-9-23 11:00:50 | 显示全部楼层
回复 7# zcg0697


   R0和R2开始时我用的是不同类型的电阻,后来改为相同类型,主支路电流和Iptat电流大小是一样的,只是在小数点后4位有点差别,这是可以接受的吗?
谢谢!!
 楼主| 发表于 2016-9-23 11:03:09 | 显示全部楼层
回复 6# vint019


   改了电阻类型不同之后,最后的温度系数会变差,只有在电阻类型相同时温度系数才稍微好些
发表于 2016-9-23 11:05:46 | 显示全部楼层
回复 8# 最菜的


   我看图上显示R2是1.2u,R0是1.0u
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