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查看: 2903|回复: 3

[求助] 求大神指教多晶硅栅与注入的问题

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发表于 2016-8-19 11:12:25 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 black小屁 于 2016-8-19 11:14 编辑

请问一般CMOS规定gate最小外延会比注入最小外延大? SWB`4_F1Q_S}8X5(B3DC1LJ.png 如果gate跨p+ N+会有什么影响
9[C34_%88`E0N}TB`Y2X`VD.png
发表于 2016-8-20 13:39:27 | 显示全部楼层
没有明显影响。
gate超出OD边界一定距离只是为了保持器件width不受影响。同样N+、P+都是只和OD有关,只是保证有源区的边界。
一般Poly用作连线时必然会跨越N+、P+,N+poly/P+poly的电阻肯定是不一样的,一般poly连线比较短所以差距不会特别大。
而工艺尺寸比较大的时候,是没有N+、P+包poly的rule的,那时候都是N+poly。
 楼主| 发表于 2016-8-21 21:22:08 | 显示全部楼层
回复 2# tiamo1222


   答案清晰明了,多谢
发表于 2016-8-25 08:29:48 | 显示全部楼层
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