带隙基准实例分析

中英双字幕 · 发表于 2016-8-15 23:14:48

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拉扎维中文版325页图11.32给出了一个浮动基准电压电路，有两个问题不是很明白（1）为什么M11和M9相同，加在R6上的电压就等于VBE4？
（2）假设通过适当调节R6的值，确实使R6上的电压等于VBE4了，那M11和M9尺寸相同，栅极电压相等，源极电压也相等，电流也应该相等，等于2VTlnn/R1，是正温度系数，而电流同时也等于VBE4/R6，是负温度系数，这不是矛盾吗？

中英双字幕 · 发表于 2016-8-15 23:17:10

回复 1# 中英双字幕
附图 )]}CQJK]1P{JJ[AR)8NQF3R.png

斩空无语 · 发表于 2016-8-16 09:12:00

设计的时候应该调整了M11和M9的尺寸使R6上的电压等于Vbe4，而不是调整R6的大小。可以看一下原论文。

A Low-Power Differential CMOS Bandgap Reference.pdf (256.06 KB, 下载次数: 335 )

oooeee · 发表于 2016-8-16 11:40:22

关于第一个问题，你的第二个问题基本自答了；
关于第二个问题，我想有种情况不会产生矛盾，即M9/M11的尺寸不知，可以将此两个MOS管的W/L设置很大，那VGS11与VGS9基本相等，从而I9和I11不一定要相等。

个人猜测，若有误解，多谢指正。

中英双字幕 · 发表于 2016-8-16 20:48:01

回复 4# oooeee
请问为什么将M11和M9的尺寸设置的很大，这两个MOS管的VGS就基本相等啊？

vint019 · 发表于 2016-8-17 00:20:25

這電路是在25C這個溫度下，I9=I11，M9=M11，Vgs9=Vgs11，R6上的电压等于VBE4。
但是溫度升高時，I9是负温度系数所以會略小於I11，但是我們還是可以粗略的假設Vgs9=Vgs11，這不影響正負補償的趨勢行為。當然實際上I9略小於I11，所以造成的影響只是高溫(或低溫)補償的曲線不完美而已。