单个NMOS做开关，怎样减小阈值电压损失？

88王道 · 发表于 2016-7-6 14:10:32

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如图所示，用单个NMOS做开关时，S端输入3.3V时，D端只有2.2V，阈值损失太大，满足不了后续电路的要求。请教有什么方法可以使D端电压损失减小？
所用工艺是SMIC180的，作为对比仿真了UMC180的工艺，结果S端输入3.3V时，D端电压可以达到2.6V（满足后续电路要求）。难道是因为工艺的原因，但这差别也太大了吧？
求救求救……
注：不能使用CMOS传输门或PMOS做这个开关。

countersr · 发表于 2016-7-7 08:22:06

boost

Golden_Hawk · 发表于 2016-7-9 10:08:23

试试多个nmos并联，可以降低开关阻抗，这个跟工艺确实相关

88王道 · 发表于 2016-7-11 10:19:16

回复 3# Golden_Hawk

问题已找到，是由于SMIC180工艺的衬偏效应。

[求助] 单个NMOS做开关，怎样减小阈值电压损失？

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