BCD工艺中多晶电阻耐压问题？？

zhubch_04 · 发表于 2016-6-27 20:45:18

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本帖最后由 zhubch_04 于 2016-6-29 15:23 编辑

各位好，现行BCD工艺中多晶电阻耐压最高可做到多少？？

andyjackcao · 发表于 2016-6-27 21:49:31

各位好，现行BCD工艺中多晶电阻耐压最高可做到多少？？
zhubch_04 发表于 2016/6/27 20:45

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干嘛要问最高啊？
用过ASMS的BCD工艺，最高可50V以上

semico_ljj · 发表于 2016-6-28 22:20:32

回复 1# zhubch_04

很高，100V也没问题

zhubch_04 · 发表于 2016-6-28 22:44:27

回复 2# andyjackcao

FOUNDRY有提供这个参数吗？？比如阱电阻，可以根据结耐压确定.最近翻了个片子，多晶电阻做在600V耗尽管的漂移区，一端接此耗尽管DRAIN端，另一端接地，而这个600V耗尽管的DRAIN端接市电半波整流电路的输出，也就是说这个电阻耐压达到300V了？？

zhubch_04 · 发表于 2016-6-28 22:45:14

回复 3# semico_ljj

请问怎么确定的呢？？

[求助] BCD工艺中多晶电阻耐压问题？？