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查看: 9237|回复: 11

[求助] 关于工艺角仿真时的组合方式

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发表于 2016-6-8 10:31:48 | 显示全部楼层 |阅读模式

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在工艺角仿真时,各种器件的工艺角都要随机组合吗?一些寄生器件的工艺角会不会和其他器件的工艺角有关联性呢???
比如在CMOS工艺中,衬底pnp管的工艺角与pmos的工艺角是不是通常都是相同的情况,比如同时为SS,或同时为FF呢??

多晶电阻的工艺角会不会与其他什么器件有关联?
发表于 2016-6-8 13:08:38 | 显示全部楼层
同问。。。。这个问题之前问过好多
发表于 2016-6-8 15:41:30 | 显示全部楼层
回复 1# Hanter

个人理解:应该是不同工艺角随机组合吧,比如bjt, nmos, pmos, res, cap, ind这几类器件的ff和ss随机组合,总的应该是1+2^n组合方式,这里的1表示的所有器件类型都为tt corner,2表示的只有ff和ss这两种情况,n表示的是器件类型,一般情况下只有nmos, pmos, res, cap,所以n=4,如果还有bjt和ind,则n=6。当然nmos, pmos一般是用ff, ss, sf, fs来区分的。如果再考虑电源电压和温度的影响,这里的n还需要加2。对于每种器件的tt corner就不用再去跟其它器件的ff, ss corner进行组合了,这样感觉有点多余。所以总的组合结果应该就是1+2^n。
一般情况下只考虑nmos, pmos, res, cap,vdd, temp的话,则n=6,总的工艺角组合应该是1+2^6=65.
发表于 2016-6-8 15:56:49 | 显示全部楼层
应该是随机组合的。这样才考虑的全面。如果做产品的话。
发表于 2016-6-8 18:02:39 | 显示全部楼层
前仿全工艺角可以,后仿跑几个极端工艺角就好了吧。看你电路大小,如果不大的话都跑一下比较妥。
发表于 2016-6-8 18:23:43 | 显示全部楼层
本帖最后由 hezea 于 2016-6-8 18:34 编辑

确实可以考虑下
 楼主| 发表于 2016-6-8 18:36:23 | 显示全部楼层
感谢楼上几位的回复,我是觉得PNP的掺杂情况与PMOS的源漏掺杂和阱掺杂、衬底掺杂一样,所以是不是它们的工艺角情况会有关联性呢??
发表于 2016-6-9 01:12:30 | 显示全部楼层
回复 7# Hanter


   某一层的掺杂偏移一般是一样的,比如nwell。但是两个器件工艺步骤不同,其偏移情况就可能会不一致。   比如MOS的沟道注入PNP是没有的,所以最后的偏移方向并不一定一致。再比如你用的了NPN,那会用到MOS一般没用的N埋层,偏移的一致性就更无从谈起了。
发表于 2016-6-11 14:01:15 | 显示全部楼层
了解了,多谢各位多谢
发表于 2016-6-14 13:56:13 | 显示全部楼层



但是考虑到线上用的同一台离子注入设备,所以还是有相关性的
如果说前道的掺杂和后道的金属,确实没有相关性
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