求前辈解答，MOS管做电容使用如何接线？

Xuhf

请问各位前辈，使用NMOS做电容使用时，栅极、源（漏）极该接什么电位，栅极电位是不是该比源（漏）极电位高？ 如果是PMOS做电容使用，又该如何接？谢谢

slq402

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billlin

一般使用NMOS 或 PMOS 當decoupling Capacitor 都可以,
但因為PMOS Filcker Noise 比 NMOS 小,
所以一般都會用PMOS 當decoupling Capacitor,
如何Layout呢?
一般都會把PMOS 埋在Power Line 下面,
Power Line 很粗(Width > 10um)
這樣PMOS decoupling Cap 就不佔面積,

另外參考圖片,
那是一個HSPICE 模擬的CV Curve,
建議您要會模擬CV Curve,
要模擬出圖片的Curve,
因為每個製程的MOS 單位電容都不一樣~

當|Vs|>Vg 約1V時,
可以得到2.2fF/um^2,
但一旦您的|Vs|<Vg+1V,
電容面積會降到1fF,
所以您要讓Vs>Vg+1V
這樣才可以得到最大的單位面積電容值, OK~

billlin

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CV Curve

slq402

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Xuhf

回复 3# billlin


    谢谢前辈

spartan313

回复 3# billlin

你好，我能接着你的回答继续问一个可能基础的问题么。
所以用PMOS的话，我的理解就是source那边连power line, gate这边我是选择连vsub,还是也是可以选择连dgnd或者agnd

ksg12

积累型或反型电容

peterlin2010

回复  billlin

你好，我能接着你的回答继续问一个可能基础的问题么。
所以用PMOS的话，我的理解就是so ...
geo24 发表于 2018-1-23 01:16

                               
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    一般对 power line 都使用 PMOS , pmos 可以独立WELL 方式 . 很多 运放会使用这类 .
对GND 电容使用 NMOS .
还有低压mos  氧化层比较薄 . 相对来说单位面积电容比较大  

但是 MOS 电容须要 > Vth .

所以如果须要比较不受电压影响电容如 一些 filter 或是 A/D 会改使用 pip (mim ) .
0.35um 会 double poly 才 pip , 现在一般都使用 MIM 电容.
但是要多道 mask 让两层 metal 间距比较小 但是   mos电容一般 > mim

不过 低压 MOS电容有耐压 ,另外 MIM 或PIP 一样有耐压
如果高压电容如 20~200v 有些会使用 MOM 就是一般 metal1-IMD-metal2

SUHOZhang

billlin 发表于 2016-3-17 11:08
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谢谢前辈，对我帮助很大！