请问这种bandgap降噪方法是否可行？

hehuachangkai · 发表于 2016-1-6 16:36:40

请问，NMOS的偏置是否可以采用相同处理？

dda7XaXS · 发表于 2016-1-6 19:46:06

回复 6# 690827881

我只是想不通RDA现在怎么还在用IBM的工艺？

gaojun927 · 发表于 2016-1-6 21:55:26

感觉会出问题。比如给gate节点加个干扰再仿真对比一下。原电路gate对地电阻很小，电平基本被固定。新电路理论上二极管两端电压相等，但一旦有干扰，二极管很难提供电流，只有gate电压多跑0.6V以上才会近似固定住。

kwankwaner · 发表于 2016-1-6 21:59:02

回复 1# 690827881

很常见啊，很多仪表或者音频前置放大都用这种方法降噪，不过瞬态响应变差，此gate容易受干扰

690827881 · 发表于 2016-1-7 10:05:00

回复 11# hehuachangkai

试过，但是对噪声基本没改善；你可以这样理解，最下面的NMOS的噪声是通过右侧cascode结构放大到上端的，而不是走左侧的导线连接，因为一般论文噪声都是等效为与栅极串联的电压源，从左侧上去没法继续向输出端等效传导。个人理解，多多交流

690827881 · 发表于 2016-1-7 10:07:04

回复 12# dda7XaXS

IBM的工艺？IBM用过这种电路结构？PS:这里用的是smic的工艺

690827881 · 发表于 2016-1-7 10:11:36

回复 13# gaojun927

给gate端加0或avdd的initial，都能快速稳定到其正确的偏置电压，而且非常精确（因为是由支路电流决定的）；该电路是有startup的，所以我个人觉得，如果gate偏置偏高会被startup拉低，如果偏低会被二极管充电（二极管另一端稳定电压会保持倍gate端高）

690827881 · 发表于 2016-1-7 10:14:15

回复 14# kwankwaner

终于有大神见过这种结构了！我试过，给gate端加0或avdd的initial，都能快速稳定到其正确的偏置电压，而且非常精确（因为是由支路电流决定的）；该电路是有startup的，所以我个人觉得，如果gate偏置偏高会被startup拉低，如果偏低会被二极管充电（二极管另一端稳定电压会保持倍gate端高）请问版主，如果这种方法这么高效，而又基本不牺牲稳定性，为什么bandgap中没人用这种结构（无文献资料）？

mk2003 · 发表于 2016-1-7 10:27:21

电路没撒问题，双向二极管做切割。1/f和部分噪声没法使二极管导通，MOS 管栅端没电流（漏电大的低节点工艺估计要小心）。大干扰瞬态的时候也能被钳位到0.6。再进入反馈恢复状态。我只是有个疑问，这玩意能把rc省掉吗。不说外置C了。。里面要是放个几百K电阻，50P电容效果也比它好吧。。。

690827881 · 发表于 2016-1-7 10:32:10

回复 19# mk2003
这种结构下，在gate线上加电容，会进一步降噪……电阻的应该不用加了，这种隔离结构本身又可以带来大电阻，貌似。。。做过比较，不加diode时，加电容的影响很小

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