diode加了SAB层过不了lvs

大江南北 · 发表于 2015-12-31 17:23:56

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如题，有个dioed用在了IO位置，就在DIODE的P端加了SAB层，但LVS不能识别这样的diode,该怎么办呢？
另外foundry的rule写的太复杂了，不想改

trumen · 发表于 2016-1-2 16:27:51

要么改文件，要么改layer

tuohong · 发表于 2016-1-4 09:20:06

成熟一点儿。
文件不认识器件，不想改文件也不想改器件，那就只有report出来这个错了。这是最不建议的结果。

ygyg100 · 发表于 2016-1-4 09:52:25

或者不加SAB，改成串联个小电阻行不行？

motofatfat · 发表于 2016-1-4 11:10:42

waive 這個錯

fuyibin · 发表于 2016-1-4 11:15:11

纯粹瞎搞，没听说过diode需要加SAB的。
首先要搞清楚要想做出来什么器件，不懂半导体工艺能瞎整么
saliside是用来做欧姆接触的，加SAB莫非想做出一个金半接触的肖特基结
contact没有saliside，直接打到silicon上能保证良率么？

Yestare · 发表于 2016-2-24 14:57:34

回复 1# qianjun526

这个问题的解决：1.LVS 不pass, waive 2.修改LVS file.
我可以帮你改LVS file, 很简单. 有需要可以联络 qq:269067956

firewolf223 · 发表于 2016-2-25 13:30:11

顶六楼！不知道你在那里加SAB是个什么意思！首先你这样改了之后model就不再是fab提供的了，你的仿真结果就不准！第二，不要随便改lvs 的code因为里面涉及到很多model的信息。你改的不好，或许能过，但是不敢保证是否会影响到你RC 的抽取！！

zgf85644958 · 发表于 2016-2-26 11:03:19

回复 6# fuyibin

他这个Diode用在IO口，应该是个ESD吧，加层sab，增加阻抗，增加抗ESD的能力，这样做不行吗？NMOS管型的ESD，漏端不也是加了层sab吗？

fuyibin · 发表于 2016-2-29 09:06:14

回复 fuyibin
他这个Diode用在IO口，应该是个ESD吧，加层sab，增加阻抗，增加抗ESD的能力，这样做 ...
zgf85644958 发表于 2016-2-26 11:03

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首先打contact的地方必须做silicide，这是工艺上必须的，没有什么可以讨价还价的。
mosfet s/d的sab做法等效于串联小电阻，使得esd电流均匀，但是contact地方是没有sab的。
diode是纵向导电的，而且一样导通电阻小，加sab有什么意义

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