关于BJT的击穿电压的问题

liutao4343 · 发表于 2016-1-1 10:13:32

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我在用IBM BIMCMOS013工艺，datasheet中说BJT的BVCEO（b极开路时，CE击穿电压）=3.55V，但是同时也说击穿电压并不固定，且取决于偏置，如下图。

然后我对这个BJT进行DC扫描时发现，在Ib很低时，IV曲线确实在3.55V就往上拐了，表示击穿了。但是在Ib较高时，击穿电压会更大。这就是说当Ib比较高时，就可以有更高的CE击穿电压？
QQ图片20160101101318.png

另外，CE极瞬时电压可以高于CE击穿电压工作吗（直流电压小于击穿电压）？

122013137 · 发表于 2016-1-1 15:30:10

BJT“击穿”后的MODEL准吗？

bellona · 发表于 2016-1-2 13:13:34

CE击穿电压和基极偏置电阻值有很大关系，基极开路时VCE不能超过VCEO，基极阻抗降低时该电压值可以增高。
如果这个管子恰好是cascode管的共基极管，当基极偏置电阻较低时，VCE最高可以接近BVCBO

122013137 · 发表于 2016-1-3 15:59:48

当基极偏置电阻较低时，VCE最高可以接近BVCES

liutao4343 · 发表于 2016-2-22 15:04:52

回复 3# bellona

谢谢！我懂了！

liutao4343 · 发表于 2016-2-22 15:05:31

回复 4# 122013137

谢谢！明白了！

newrfdesign · 发表于 2020-8-18 19:33:10

Thanks for sharing.

萧萧下 · 发表于 2020-12-18 17:27:42

Thanks a lot ，解答了疑惑

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